III-N-TRANSISTOREN INTEGRIERT MIT DÜNNFILMTRANSISTOREN MIT GRADIERTEN DOTIERSTOFFKONZENTRATIONEN UND/ODER VERBUND-GATE-DIELEKTRIKA

Offenbart hierin sind IC-Strukturen, Packages und Vorrichtungen, die Dünnfilm-Transistoren (TFTs), integriert auf dem gleichen Substrat/Die/Chip wie III-N-Bauelemente, z.B. III-N-Transistoren, umfassen. Bei verschiedenen Aspekten weisen TFTs, die mit III-N-Transistoren integriert sind, einen Kanal und Source/Drain-Materialien auf, die ein oder mehrere aus einem kristallinen Material, einem polykristallinen Halbleitermaterial oder einem Laminat aus kristallinen und polykristallinen Materialien umfassen. Bei verschiedenen Aspekten sind TFTs, die mit III-N-Transistoren integriert sind, so gestaltet, dass sie ein oder mehrere aus 1) gradierten Dotierstoffkonzentrationen in ihren Source/Drain-Regionen, 2) gradierten Dotierstoffkonzentrationen in ihren Kanalregionen und 3) dickeren und/oder Verbund-Gate-Dielektrika in ihren Gate-Stapeln umfassen. Disclosed herein are IC structures, packages, and devices that include thin-film transistors (TFTs) integrated on the same substrate/die/chip as III-N devices, e.g., III-N transistors. In various aspects, TFTs integrated with III-N transistors have a channel and source/drain materials that include one or more of a crystalline material, a polycrystalline semiconductor material, or a laminate of crystalline and polycrystalline materials. In various aspects, TFTs integrated with III-N transistors are engineered to include one or more of 1) graded dopant concentrations in their source/drain regions, 2) graded dopant concentrations in their channel regions, and 3) thicker and/or composite gate dielectrics in their gate stacks.