HALBLEITERBAUELEMENT UND HERSTELLUNGSVERFAHREN

Halbleitervorrichtung (100) aufweisend:ein erstes leitfähiges Merkmal (145A);ein zweites leitfähiges Merkmal (145B);eine erste Passivierungsschicht (155A), die sich zwischen dem ersten leitfähigen Merkmal (145A) und dem zweiten leitfähigen Merkmal (145B) befindet; undeine zweite Passivierungsschicht (155B), die sich zwischen dem ersten leitfähigen Merkmal (145A) und dem zweiten leitfähigen Merkmal (145B) und über der ersten Passivierungsschicht (155A) befindet, wobei der unterste Abschnitt der Grenzfläche (175), an welcher die erste Passivierungsschicht (155A) die zweite Passivierungsschicht (155B) kontaktiert, sich unterhalb von 40 % der Höhe des ersten leitfähigen Merkmals (145A) befindet,eine dritte Passivierungsschicht (155C), die sich zwischen dem ersten leitfähigen Merkmal (145A) und dem zweiten leitfähigen Merkmal (145B) und über der zweiten Passivierungsschicht (155B) befindet, wobei der unterste Abschnitt der Grenzfläche (180), an welcher die zweite Passivierungsschicht (155B) die dritte Passivierungsschicht (155C) kontaktiert, sich oberhalb von 60 % der Höhe des ersten leitfähigen Merkmals (145A) befindet. A semiconductor device includes a first conductive feature and a second conductive feature. A first passivation layer is positioned between the first conductive feature and the second conductive feature. A second passivation layer is positioned between the first conductive feature and the second conductive feature and over the first passivation layer. A lowermost portion of an interface where the first passivation layer contacts the second passivation layer is positioned below 40% or above 60% of a height of the first conductive feature.