SILICIUMCARBID-HALBLEITERVORRICHTUNG

Ein erster Abschnitt der Polysiliciumschicht ist über eine Gate-Isolierschicht in einem Randabschlussbereich auf einer ersten Fläche einer Stirnfläche eines Halbleitersubstrats vorgesehen und konfiguriert einen Gate-Runner. Der erste Abschnitt liegt in einer Tiefenrichtung Z einem p++-Typ-Randkontak...

Ausführliche Beschreibung

Bibliographische Detailangaben

1. Verfasser:	Araoka, Tsuyoshi
Format:	Patent
Sprache:	ger
Schlagworte:	BASIC ELECTRIC ELEMENTS ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR ELECTRICITY SEMICONDUCTOR DEVICES
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