SILICIUMCARBID-HALBLEITERVORRICHTUNG

Ein erster Abschnitt der Polysiliciumschicht ist über eine Gate-Isolierschicht in einem Randabschlussbereich auf einer ersten Fläche einer Stirnfläche eines Halbleitersubstrats vorgesehen und konfiguriert einen Gate-Runner. Der erste Abschnitt liegt in einer Tiefenrichtung Z einem p++-Typ-Randkontaktgebiet gegenüber. Ein Rand auf der Seite des Chip-Endes des ersten Abschnitts ist innerhalb einer Ebene des p++-Typ-Randkontaktgebiets positioniert. Eine Feldoxidschicht, die getrennt von der Polysiliciumschicht angeordnet ist, erstreckt sich von einem Chip-Ende in Richtung auf eine Chip-Mitte und endet auf der ersten Fläche näher bei dem Chip-Ende als der erste Abschnitt. Die gesamte Oberfläche der Polysiliciumschicht ist ohne eine Stufe aufgrund der Feldoxidschicht flach. Ein Rand auf der Seite der Chip-Mitte der Feldoxidschicht befindet sich näher bei dem Chip-Ende, als sich das p++-Typ-Randkontaktgebiet befindet, und ist auf einem p-Typ-Basisgebiet positioniert. A first portion of the poly-silicon layer is provided on a first face of a front surface of a semiconductor substrate via a gate insulating film in an edge termination region and configures a gate runner. The first portion opposes an edge p++-type contact region in a depth direction Z. A chip-end-side edge of the first portion is positioned within a plane of the edge p++-type contact region. A field oxide film disposed separated from the poly-silicon layer, extends from a chip end toward a chip center and, on the first face, terminates closer to the chip end than does the first portion. The entire surface of the poly-silicon layer is flat, free of a step due to the field oxide film. A chip-center-side edge of the field oxide film is closer to the chip end than is the edge p++-type contact region and positioned on a p-type base region.