Mechanische Spannungsentkopplung für mikroelektromechanisches System (MEMS)-Elemente mit Gelfüllung

Eine Halbleitervorrichtung und ein Verfahren zur Herstellung derselben werden bereitgestellt. Die Halbleitervorrichtung beinhaltet einen Halbleiterchip, der ein Substrat mit einer ersten Oberfläche und einer der ersten Oberfläche gegenüberliegenden zweiten Oberfläche beinhaltet; mindestens einen Spannungsentkopplungsgraben, der sich von der ersten Oberfläche in das Substrat erstreckt, wobei sich der mindestens eine Spannungsentkopplungsgraben teilweise in das Substrat zur zweiten Oberfläche hin erstreckt, jedoch nicht vollständig zur zweiten Oberfläche; ein mikroelektromechanisches System (MEMS)-Element, beinhaltend einen empfindlichen Bereich, das an der ersten Oberfläche des Substrats angeordnet und seitlich von dem mindestens einen Spannungsentkopplungsgraben beabstandet ist; und ein Spannungsentkopplungsmaterial, das den mindestens einen Spannungsentkopplungsgraben füllt und den empfindlichen Bereich des MEMS-Elements bedeckt. A semiconductor device and a method of manufacturing the same are provided. The semiconductor device includes a semiconductor chip including a substrate having a first surface and a second surface arranged opposite to the first surface; at least one stress-decoupling trench that extends from the first surface into the substrate, where the at least one stress-decoupling trench extends partially into the substrate towards the second surface although not completely to the second surface; a microelectromechanical systems (MEMS) element, including a sensitive area, disposed at the first surface of the substrate and laterally spaced from the at least one stress-decoupling trench; and a stress-decoupling material that fills the at least one stress-decoupling trench and covers the sensitive area of the MEMS element.