Gestapelte Transistoren mit einem Dielektrikum zwischen den Source/Drain- Materialien unterschiedlicher Strata

Hierin offenbart sind gestapelte Transistoren mit einem Dielektrikum zwischen Source/Drain-Materialien unterschiedlicher Strata sowie verwandte Verfahren und Bauelemente. Bei einigen Ausführungsbeispielen kann eine Integrierte-Schaltung-Struktur gestapelte Strata von Transistoren umfassen, wobei sich ein dielektrisches Material zwischen Source/Drain-Materialien benachbarter Strata befindet und das dielektrische Material konform auf einem darunter liegenden Source/Drain-Material ist. Disclosed herein are stacked transistors with dielectric between source/drain materials of different strata, as well as related methods and devices. In some embodiments, an integrated circuit structure may include stacked strata of transistors, wherein a dielectric material is between source/drain materials of adjacent strata, and the dielectric material is conformal on underlying source/drain material.