HALBLEITERBAUELEMENT UND VERFAHREN ZUM HERSTELLEN DESSELBEN

Ein Halbleiterbauelement umfasst mindestens eine dielektrische Schicht auf Hafniumoxidbasis, wobei die dielektrische Schicht auf Hafniumoxidbasis eine tetragonale Hafniumoxidschicht, eine tetragonale Keimschicht und eine Dotierungsschicht umfasst. A method for fabricating a capacitor includes forming a first electrode, forming a dielectric layer stack on the first electrode, the dielectric layer stack including an initial hafnium oxide layer and a seed layer having a doping layer embedded therein, forming a thermal source layer on the dielectric layer stack to crystallize the initial hafnium oxide into tetragonal hafnium oxide, and forming a second electrode on the thermal source layer.