HALBLEITERBAUELEMENT UND VERFAHREN ZU DESSEN HERSTELLUNG

Es wird ein Halbleiterbauelement (100) beschrieben, umfassend einen Träger (1), mindestens einen Halbleiterchip (2), der auf dem Träger (1) angeordnet ist und mindestens einen ersten elektrischen Kontakt (11) an einer vom Träger (1) abgewandten Hauptfläche des Halbleiterchips (2) aufweist. Das Halbleiterbauelement umfasst eine auf dem Träger (1) angeordnete elektrisch isolierende Schicht (3) und mindestens eine elektrische Anschlussschicht (4), die über die elektrisch isolierende Schicht (3) zu dem ersten elektrischen Kontakt (11) geführt ist, wobei die elektrisch isolierende Schicht (3) ein fotostrukturierbares Material aufweist. Weiterhin wird ein Verfahren zur Herstellung des Halbleiterbauelements (100) angegeben. In an embodiment a semiconductor component includes a carrier, at least one semiconductor chip arranged on the carrier, the semiconductor chip having at least one first electrical contact at a main surface of the semiconductor chip facing away from the carrier, an electrically insulating layer arranged on the carrier and at least one electrical connection layer led by the electrically insulating layer to the first electrical contact, wherein the electrically insulating layer includes a photopatternable material.