VERTIKALE HALBLEITERVORRICHTUNG UND VERFAHREN ZU DEREN HERSTELLUNG

Eine vertikale Halbleitervorrichtung und ein Verfahren zu deren Herstellung können die Bildung eines alternierenden Stapels aus dielektrischen Schichten und Opferschichten über einer unteren Struktur, die Bildung einer Öffnung durch Ätzen des alternierenden Stapels, die Bildung einer nicht-konformen Sperrschicht auf dem alternierenden Stapel, in dem die Öffnung gebildet ist, die Adsorption eines Ablagerungsinhibitors auf einer Oberfläche der Sperrschicht, um die nicht-konforme Sperrschicht in eine konforme Sperrschicht umzuwandeln, auf der der Ablagerungsinhibitor adsorbiert wird, und die Bildung einer Ladungsspeicherschicht auf der konformen Sperrschicht umfassen. A vertical semiconductor device and a method for fabricating the same may include forming an alternating stack of dielectric layers and sacrificial layers over a lower structure, forming an opening by etching the alternating stack, forming a non-conformal blocking layer on the alternating stack in which the opening is formed, adsorbing a deposition inhibitor on a surface of the blocking layer to convert the non-conformal blocking layer into a conformal blocking layer on which the deposition inhibitor is adsorbed, and forming a charge storage layer on the conformal blocking layer.