Vertikaler Feldeffekttransistor und Verfahren zum Ausbilden desselben

Es wird ein vertikaler Feldeffekttransistor (200) bereitgestellt, aufweisend: einen Driftbereich (206); eine Halbleiter-Finne (208) auf oder über dem Driftbereich (206), und eine Source/Drain-Elektrode (218) auf oder über der Halbleiter-Finne (208), wobei die Halbleiter-Finne (208) mindestens eine konkav geformte Seitenwand im Bereich zwischen dem Driftbereich (206) und der Source/Drain-Elektrode (218) aufweist. A vertical field-effect transistor. The vertical field-effect transistor includes: a drift region, a semiconductor fin on or above the drift region, and a source/drain electrode on or above the semiconductor fin. The semiconductor fin includes at least one concave side wall in the region between the drift region and the source/drain electrode.