Halbleitervorrichtung

Eine Halbleitervorrichtung (1) umfasst ein Substrat (6), eine Vielzahl von Lötmetallen (7a, 7b) und einen Halbleiterchip (8). Die Vielzahl von Lötmetallen (7a, 7b) ist einander benachbart platziert. Die Zusammensetzung und/oder Konzentration der Vielzahl von Lötmetallen (7a, 7b) sind/ist voneinander verschieden. Der Halbleiterchip (8) enthält eine Verbindungsoberfläche, die mit der Vielzahl von Lötmetallen (7a, 7b) mit dem Substrat (6) verbunden werden soll. Die Verbindungsoberfläche des Halbleiterchips (8) enthält eine Vielzahl von Verbindungszonen (8a, 8b), in denen eine Wärmeerzeugung des Halbleiterchips (8) oder eine Spannung auf ein zu verbindendes Objekt voneinander verschieden ist. Die Vielzahl von Lötmetallen (7a, 7b) ist so angeordnet, dass sie jeweils der Vielzahl von Verbindungszonen (8a, 8b) entspricht. A semiconductor device includes a substrate, a plurality of solders, and a semiconductor chip. The plurality of solders are located adjacent to each other. At least one of composition and concentration of the plurality of solders is different from each other. The semiconductor chip includes a joining surface to be joined to the substrate with the plurality of solders. The joining surface of the semiconductor chip includes a plurality of joining areas in which heat generation of the semiconductor chip or a stress on an object to be joined is different from each other. The plurality of solders are disposed to correspond to the plurality of joining areas, respectively.