VERFAHREN UND VORRICHTUNG ZUR ÜBERPRÜFUNG VON MASKEN FÜR DIE MIKROLITHOGRAPHIE

Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zur Überprüfung von Masken für die Mikrolithographie, bei welchem ein Luftbild zumindest eines Teils der Maske erzeugt und von einer Erfassungseinrichtung erfasst wird und mit einem Referenzbild verglichen wird, wobei der Vergleich von erfasstem Luftb...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:

Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser:	Tusch, Jan, Zeuner, Thomas, Schmidt, Carsten
Format:	Patent
Sprache:	ger
Schlagworte:	APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR CINEMATOGRAPHY ELECTROGRAPHY HOLOGRAPHY MATERIALS THEREFOR MEASURING ORIGINALS THEREFOR PHOTOGRAPHY PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES,e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTORDEVICES PHYSICS TESTING TESTING STATIC OR DYNAMIC BALANCE OF MACHINES ORSTRUCTURES TESTING STRUCTURES OR APPARATUS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
Online-Zugang:	Volltext bestellen
Tags:	Tag hinzufügen Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!

Beschreibung
Zusammenfassung:	Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zur Überprüfung von Masken für die Mikrolithographie, bei welchem ein Luftbild zumindest eines Teils der Maske erzeugt und von einer Erfassungseinrichtung erfasst wird und mit einem Referenzbild verglichen wird, wobei der Vergleich von erfasstem Luftbild und Referenzbild durch Vergleich von Bildinformationen entlang mindestens einer Vergleichslinie (6) in Luftbild und Referenzbild erfolgt, wobei die Vergleichslinie (6) im Wesentlichen senkrecht zu mindestens einer Begrenzungslinie (4,5) eines Strukturelements (3) der Maske verläuft.