Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung einer Schicht, damit versehenes Substrat und dessen Verwendung

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung einer Schicht auf einem Substrat durch metallorganische Gasphasenepitaxie, die mindestens eine Verbindungen der Formel M1aM21-aN enthält oder daraus besteht, wobei M1für ein Element der Gruppe 13 des Periodensystems der Elemente und M2für ein Elem...

Ausführliche Beschreibung

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Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser:	Leone, Stefano, Wiegert, Joachim, Manz, Christian, Menner, Hanspeter, Ligl, Jana
Format:	Patent
Sprache:	ger
Schlagworte:	AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUSPOLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE APPARATUS THEREFOR BASIC ELECTRIC ELEMENTS CHEMISTRY CRYSTAL GROWTH ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR ELECTRICITY METALLURGY PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITHDEFINED STRUCTURE REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL SEMICONDUCTOR DEVICES SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITHDEFINED STRUCTURE SINGLE-CRYSTAL-GROWTH UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL ORUNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL
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Beschreibung
Zusammenfassung:	Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung einer Schicht auf einem Substrat durch metallorganische Gasphasenepitaxie, die mindestens eine Verbindungen der Formel M1aM21-aN enthält oder daraus besteht, wobei M1für ein Element der Gruppe 13 des Periodensystems der Elemente und M2für ein Element der Gruppe 3 oder der Gruppe der Actinoide oder der Gruppe der Lanthanoide des Periodensystems der Elemente stehen und 0,01 ≤ a < 0,99 gewählt ist, wobei ein Prekursor mit einem Molarfluss (n) von mindestens 10-6mol/min in eine Reaktionskammer (1) für die metallorganische Gasphasenepitaxie geleitet wird, welcher M2enthält oder daraus besteht. Weiterhin wird eine Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens angegeben und ein nach diesem Verfahren beschichtetes Substrat.