Verfahren zur Herstellung eines Inertialsensors und Inertialsensor
Es wird ein Verfahren zur Herstellung eines Inertialsensors (1) mit mindestens einer Schwingmasse (2) und mindestens einer integrierten Schaltung (3) vorgeschlagen, wobei das Verfahren die folgenden Schritte umfasst:-- Bereitstellen eines Wafersubstrats (4), aufweisend eine Wafervorderseite (5), ein...
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Format: | Patent |
Sprache: | ger |
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Zusammenfassung: | Es wird ein Verfahren zur Herstellung eines Inertialsensors (1) mit mindestens einer Schwingmasse (2) und mindestens einer integrierten Schaltung (3) vorgeschlagen, wobei das Verfahren die folgenden Schritte umfasst:-- Bereitstellen eines Wafersubstrats (4), aufweisend eine Wafervorderseite (5), eine Waferrückseite (6), eine Haupterstreckungsebene (7) und eine, auf der Haupterstreckungsebene (7) senkrecht stehende vertikale Richtung (8);-- Ausbilden der integrierten Schaltung (3) auf der Wafervorderseite (5);-- Freilegen der Schwingmasse (2) durch Bildung einer Ausnehmung (10) im Wafersubstrat (4) derart, dass die freigelegte Schwingmasse (2) über eine Federstruktur (9) mit dem restlichen Wafersubstrat (4) verbunden ist, wobei die Ausnehmung (10) die Schwingmasse (2) bezüglich der Haupterstreckungsebene (7) lateral umgibt und sich außerhalb der Federstruktur (9) in vertikaler Richtung (8) von der Wafervorderseite (5) zur Waferrückseite (6) durch das gesamte Wafersubstrats (4) erstreckt.Weiterhin wird ein Inertialsensor (1) aufweisend ein Wafersubstrat (4) mit einer Haupterstreckungsebene (7), mindestens eine Schwingmasse (2) und mindestens eine integrierte Schaltung (3) vorgeschlagen. |
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