Verfahren zum Ausbilden eines Aluminiumfilms
Vorgesehen wird eine Technik zum Ausbilden eines Aluminiumfilms, der eine hohe Ebenheit und weniger Hohlräume aufweist. Schritt S11 bildet einen ersten Film mit einer Dicke, die gleich 0,1 µm oder größer und geringer als 1 µm ist, durch Sputtern eines Materials auf ein Substrat. Schritt S12 schmilzt...
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Format: | Patent |
Sprache: | ger |
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Zusammenfassung: | Vorgesehen wird eine Technik zum Ausbilden eines Aluminiumfilms, der eine hohe Ebenheit und weniger Hohlräume aufweist. Schritt S11 bildet einen ersten Film mit einer Dicke, die gleich 0,1 µm oder größer und geringer als 1 µm ist, durch Sputtern eines Materials auf ein Substrat. Schritt S12 schmilzt den ersten Film durch Erhitzen des ersten Films wieder auf. Schritt S13 bildet einen zweiten Film durch Sputtern des Materials auf den ersten Film, der wiederaufgeschmolzen wurde. Schritt S14 schmilzt den zweiten Film durch Erhitzen des zweiten Films wieder auf. Schritt S15 bildet einen dritten Film durch Sputtern des Materials auf den zweiten Film, der wiederaufgeschmolzen wurde. Schritt S16 schmilzt den dritten Film durch Erhitzen des dritten Films wieder auf.
Provided is a technique of forming an aluminum film that has high flatness and less cavities. Step S11 is forming a first film having a thickness that is equal to or greater than 0.1 μm and less than 1 μm, by sputtering a material onto a substrate. Step S12 is reflowing the first film by heating the first film. Step S13 is forming a second film by sputtering the material onto the first film that has been reflowed. Step S14 is reflowing the second film by heating the second film. Step S15 is forming a third film by sputtering the material onto the second film that has been reflowed. Step S16 is reflowing the third film by heating the third film. |
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