Verfahren zur Herstellung von Halbleiterscheiben

Verfahren zur Herstellung von Halbleiterscheiben, wobei ein einkristalliner Stab aus Silicium bereitgestellt wird, der Stab in Kristallstücke geschnitten und von einem Kristallstück eine Testscheibe abgetrennt wird, wobei die Testscheibe optional einem ersten thermischen Behandlungsverfahren unterworfen wird und danach ein zweites thermisches Behandlungsverfahren erfolgt, das eine Aufheizphase, eine Haltephase bei Haltetemperatur Thund einer Abkühlphase beinhaltet und das einen radialen Temperaturgradienten ΔT auf der Testscheibe verursacht, danach eine Untersuchung der Scheibe aus Halbleitermaterial hinsichtlich Stressfeldern erfolgt und das Weiterverarbeiten der Halbleiterscheiben gewonnen aus dem Kristallstück gemäß Weiterverarbeitungsschritten, die in Abhängigkeit des Ergebnisses der Untersuchung der Testscheibe ausgewählt werden. Suitability of silicon wafers for use in device processing without generation of fatal defects is assessed by using SIRD to measure stress in a wafer cut from a piece of a crystal ingot after first and second thermal treatments of the water, the second thermal treatment consisting of a heating phase, a holding phase, and a cooling phase. The result is used to consider whether silicon wafers cut from the piece can adequately survive device processing without generating excess defects.