Leistungshalbleiterbauelement mit darin angeordneten Leistungstransistoren

Die vorliegende Erfindung betrifft ein Leistungshalbleiterbauelement (100), aufweisend zumindest zwei Leistungstransistoren (1, 2), umfassend einen ersten Leistungstransistor (1) und einen zweiten Leistungstransistor (2), wobei die Leistungstransistoren (1, 2) innerhalb eines Chipgehäuses (3) angeor...

Ausführliche Beschreibung

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Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser:	Fischer, Sergej, Nguegang Ngnetiwe, Eric, Bekeny, Chegnui, Lipski, Frank
Format:	Patent
Sprache:	ger
Schlagworte:	BASIC ELECTRIC ELEMENTS ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR ELECTRICITY SEMICONDUCTOR DEVICES
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Beschreibung
Zusammenfassung:	Die vorliegende Erfindung betrifft ein Leistungshalbleiterbauelement (100), aufweisend zumindest zwei Leistungstransistoren (1, 2), umfassend einen ersten Leistungstransistor (1) und einen zweiten Leistungstransistor (2), wobei die Leistungstransistoren (1, 2) innerhalb eines Chipgehäuses (3) angeordnet sind, wobei die die Leistungstransistoren (1, 2) zu einer ersten Halbbrücke verschaltet sind, wobei ein erster schaltbarer Kontakt (11) des ersten Leistungstransistors (1) über einen in dem Chipgehäuse (3) angeordneten ersten Metallclip (4) mit einem zweiten schaltbaren Kontakt (22) des zweiten Leistungstransistors (2) verbunden ist, und wobei der erste Metallclip (4) einen oder mehrere plattenförmige Abschnitte aufweist.