Ein verbesserter Finnen-Feldeffekttransistor (FinFET) Zwischenverbindungen und Verfahren zum Herstellen davon

Es werden Verfahren zum Bilden einer CT-Säule mit verringerter Breite und vergrößertem Abstand von benachbarten Finnen und die resultierenden Vorrichtungen bereitgestellt. Ausführungsformen umfassen ein Bereitstellen eines ersten Paares von Finnen und eines zweiten Paares von Finnen in einer Oxidschicht, wobei das erste Paar von Finnen und das zweite Paar von Finnen Si umfassen; und ein Bilden einer CT-Säule, die SiN umfasst, zwischen dem ersten und dem zweiten Paar von Finnen und über einem Abschnitt der Oxidschicht, wobei die Breite der CT-Säule und der Abstand zwischen der CT-Säule und dem ersten Paar von Finnen und dem zweiten Paar von Finnen umgekehrt proportional sind. Methods of forming a CT pillar with reduced width and increased distance from neighboring fins and the resulting devices are provided. Embodiments include providing a first pair of fins and a second pair of fins in an oxide layer, wherein the first and second pair of fins include Si; and forming a CT pillar including SiN between the first and second pair of fins and over a portion of the oxide layer, wherein width of the CT pillar and distance between the CT pillar and the first and second pair of fins are inversely proportional.