Projektionsbelichtungsanlage für die Halbleiterlithographie mit einem optischen Element mit Sensorreferenz und Verfahren zur Ausrichtung der Sensorreferenz

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Ausrichtung einer Sensorreferenz (40) zu einer Bezugsfläche (31) eines Grundkörpers (30) in einer EUV-Projektionsbelichtungsanlage (1), wobei die Sensorreferenz (40) ein Referenzelement (41, 41') und ein Aufnahmeelement (42) umfasst, wobei das Aufnahmeelement (42) auf dem Grundkörper (30) angeordnet oder als Teil des Grundkörpers (30) ausgebildet ist, umfassend die folgenden Schritte:- Bestimmung der Lage der Bezugsfläche (31) in einem Referenzkoordinatensystem (32) des Grundkörpers (30),- Bestimmung der Abweichung der Lage der Bezugsfläche (31) von deren Solllage,- Einlegen des Referenzelementes (41, 41') in das Aufnahmeelement (42),- Bestimmung der Position und der Lage des Referenzelementes (41, 41') in dem Referenzkoordinatensystem (32) des Grundkörpers (30),- Bestimmung der Abweichung von der Solllage des Referenzelementes (41, 41') unter Berücksichtigung der zuvor bestimmten Lage des Referenzelementes (41, 41') und der Abweichung der Bezugsfläche (31) von deren Solllage,- Ausrichtung des Referenzelementes (41, 41') auf die bestimmte Solllage,- Fixieren des Referenzelementes (41, 41') in der Solllage- Überprüfung der Solllage des Referenzelementes (41, 41') in dem Referenzkoordinatensystem (32).Weiterhin betrifft die Erfindung eine Projektionsbelichtungsanlage (1) für die Halbleiterlithographie umfassend ein optisches Element (18, 19, 20), welches einen Grundkörper (30) umfasst, der wiederum Aufnahmeelemente (42) für mehrere Referenzelemente (41,41') einer Sensorreferenz (40) zur Bestimmung der Position und Lage des optischen Elementes (18, 19, 20) umfasst. Weiterhin umfasst das optische Element (18, 19, 20) eine als optisch aktive Fläche ausgebildete Bezugsfläche (31), wobei die Lage der Referenzelemente (41) zur Lage der Bezugsfläche (31) ausgerichtet ist und die Referenzelemente (41) mit einer Winkelabweichung kleiner als 100µrad zu der Bezugsfläche (31) angeordnet sind. A semiconductor lithography projection exposure apparatus includes a sensor reference including reference elements. The apparatus also includes an optical element, which includes a main body comprising receiving elements receiving the reference elements. The optical element further includes a referential surface that is an optically active surface of the optical element. The reference elements are arranged to determine a position and an orientation of the optical element. A method includes aligning a sensor reference with respect to a refere