Verfahren zum Verbessern der Überlagerungsleistung in Halbleitervorrichtungen

Verfahren, umfassend:ein Bilden einer ersten Schicht (110) einer mehrlagigen Vorrichtung (101) auf einem Substrat;ein Bilden von ersten, inneren Überlagerungsmarkierungen (208) in einer ersten Zone (1005) der ersten Schicht (110);ein Bilden einer nicht-transparenten Schicht (119) über der ersten Sch...

Ausführliche Beschreibung

Bibliographische Detailangaben

Hauptverfasser:	Chauhan, Kripa Nidhan, Chinthamanipeta Sripadarao, Pavan Kumar, Li, Huaxiang, Bae, Sanggil, Yang, Dongyue, Chen, Rui, Ayala, Christian J, Srivastava, Ravi Prakash, Dai, Xintuo, Tran, Cung D, Morgenfeld, Bradley, Tang, Minghao, Bellah, Md Motasim
Format:	Patent
Sprache:	ger
Schlagworte:	BASIC ELECTRIC ELEMENTS ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR ELECTRICITY SEMICONDUCTOR DEVICES
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