Verfahren zum Verbessern der Überlagerungsleistung in Halbleitervorrichtungen

Verfahren, umfassend:ein Bilden einer ersten Schicht (110) einer mehrlagigen Vorrichtung (101) auf einem Substrat;ein Bilden von ersten, inneren Überlagerungsmarkierungen (208) in einer ersten Zone (1005) der ersten Schicht (110);ein Bilden einer nicht-transparenten Schicht (119) über der ersten Schicht (110);Bilden eines Fensters (125) in der nicht-transparenten Schicht (119) durch Entfernen von wenigstens einem Abschnitt aus Material von einem vorab ausgewählten Bereich der nicht-transparenten Schicht (119), wobei der vorab ausgewählte Bereich auf der ersten Zone (1005) der ersten Schicht (110) vertikal ausgerichtet ist und das Fenster (125) einen optischen Zugang zu den ersten, inneren Überlagerungsmarkierungen (208) bereitstellt;ein Bilden einer zweiten Schicht (116) auf der Oberseite der nicht-transparenten Schicht (119) und des Fensters (125);ein Bilden von zweiten, äußeren Überlagerungsmarkierungen (919) in einer zweiten Zone (1011) der zweiten Schicht (116), die zur ersten Zone (1005) vertikal ausgerichtet ist; undein Erhalten von Positionsinformation von jedem von den ersten, inneren Überlagerungsmarkierungen (208) und den zweiten, äußeren Überlagerungsmarkierungen (919), wobei die ersten, inneren Überlagerungsmarkierungen (208) und die zweiten, äußeren Überlagerungsmarkierungen (919) ein Beugungsmuster erzeugen, wenn sie durch eine Überlagerungsquelle von einem Ausrichtungssystem abgetastet werden, wobei das Beugungsmuster reflektiert wird und durch einen Ausrichtungssensor erfasst wird, der die Position der ersten, inneren Überlagerungsmarkierungen (208) oder der zweiten, äu-ßeren Überlagerungsmarkierungen (919) aufnimmt. In an exemplary method, a first layer is formed on a substrate. First overlay marks are formed in a first zone of the first layer. A non-transparent layer is formed on top of the first layer. At least a portion of the non-transparent layer is removed from an area above the first zone of the first layer. This provides optical access to the first overlay marks. A second layer is formed on top of the non-transparent layer. Second overlay marks are formed in a second zone of the second layer. Position information is obtained from each of the first overlay marks and the second overlay marks.