Strukturen und Verfahren zum Verbessern der Überlagerungsleistung in Halbleitervorrichtungen

In einem beispielhaften Verfahren wird eine erste Schicht auf einem Substrat gebildet. In einer ersten Zone der ersten Schicht werden erste Überlagerungsmarkierungen gebildet. Auf einer Oberseite der ersten Schicht wird eine nicht-transparente Schicht gebildet. Wenigstens ein Abschnitt der nicht-tra...

Ausführliche Beschreibung

Bibliographische Detailangaben

Hauptverfasser:	Chauhan, Kripa Nidhan, Chinthamanipeta Sripadarao, Pavan Kumar, Li, Huaxiang, Bae, Sanggil, Yang, Dongyue, Chen, Rui, Ayala, Christian J, Srivastava, Ravi Prakash, Dai, Xintuo, Tran, Cung D, Morgenfeld, Bradley, Tang, Minghao, Bellah, Md Motasim
Format:	Patent
Sprache:	ger
Schlagworte:	BASIC ELECTRIC ELEMENTS ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR ELECTRICITY SEMICONDUCTOR DEVICES
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