Strukturen und Verfahren zum Verbessern der Überlagerungsleistung in Halbleitervorrichtungen

In einem beispielhaften Verfahren wird eine erste Schicht auf einem Substrat gebildet. In einer ersten Zone der ersten Schicht werden erste Überlagerungsmarkierungen gebildet. Auf einer Oberseite der ersten Schicht wird eine nicht-transparente Schicht gebildet. Wenigstens ein Abschnitt der nicht-transparente Schicht wird von einem Bereich über der ersten Zone der ersten Schicht entfernt. Dies stellt einen optischen Zugang zu den ersten Überlagerungsmarkierungen bereit. Auf einer Oberseite der nicht-transparente Schicht wird eine zweite Schicht gebildet. In einer zweiten Zone der zweiten Schicht werden zweite Überlagerungsmarkierungen gebildet. Von jedem von den ersten Überlagerungsmarkierungen und den zweiten Überlagerungsmarkierungen wird eine Positionsinformation erhalten. In an exemplary method, a first layer is formed on a substrate. First overlay marks are formed in a first zone of the first layer. A non-transparent layer is formed on top of the first layer. At least a portion of the non-transparent layer is removed from an area above the first zone of the first layer. This provides optical access to the first overlay marks. A second layer is formed on top of the non-transparent layer. Second overlay marks are formed in a second zone of the second layer. Position information is obtained from each of the first overlay marks and the second overlay marks.