REPARATUR VON UNDICHTEN SPEICHERLÖCHERN AN DER FERTIGUNGSVERBINDUNG

Speichervorrichtung, umfassend:ein Speicherarray (200) mit Speicherkanälen (122, 124), wobei jeder Speicherkanal Speicherzellen (204) und eine Fertigungsverbindung (112) aufweist, wobei wenigstens eine an die Fertigungsverbindung (112) angrenzende Blindwortleitung (108, 110) mit Blindspeicherzellen...

Ausführliche Beschreibung

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Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser: Hemink, Gerrit Jan, Yang, Xiang
Format: Patent
Sprache:ger
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Beschreibung
Zusammenfassung:Speichervorrichtung, umfassend:ein Speicherarray (200) mit Speicherkanälen (122, 124), wobei jeder Speicherkanal Speicherzellen (204) und eine Fertigungsverbindung (112) aufweist, wobei wenigstens eine an die Fertigungsverbindung (112) angrenzende Blindwortleitung (108, 110) mit Blindspeicherzellen (114, 116, 118, 120) gekoppelt ist, die keine Benutzerdaten speichern und die in den Speicherkanälen eingeschlossen sind; undeine Steuerung, die eingerichtet ist, um:die Speicherzellen (204) der Speicherkanäle (122, 124) mit Benutzerdaten zu programmieren;eine Anzahl von Speicherzellen (204) zu erfassen, die als Reaktion darauf, dass die Speicherzellen (204) einen Schwellenwert erfüllen, nicht korrekt mit den Benutzerdaten programmiert wurden;Bitleitungen zu bestimmen, die den Speicherzellen (204) entsprechen, die nicht korrekt mit den Benutzerdaten programmiert wurden;eine Schwellenspannung für bestimmte Blindspeicherzellen (114, 116, 118, 120) von Speicherkanälen (122, 124), die mit den bestimmten Bitleitungen verbunden sind, auf der mindestens einen an die Fertigungsverbindung (112) angrenzenden Blindwortleitung (108, 110) zu erhöhen (512), wobei eine Schwellenspannung von anderen als den bestimmten Blindspeicherzellen (114, 116, 118, 120) nicht erhöht wird, wobei die bestimmten Blindspeicherzellen (114, 116, 118, 120) in den Speicherkanälen (122, 124) angeordnet sind, die mit den bestimmten Bitleitungen verbunden sind; undwobei die Schwellenspannung für die bestimmten Blindspeicherzellen (114, 116, 118, 120) eingerichtet ist, um Verluststrom zwischen benachbarten Speicherkanälen (122, 124) zu reduzieren. A memory array with a fabrication joint includes a controller configured to apply a detection voltage on a word line coupled to a plurality of bitlines, count a number of bitlines having a first type of response to the detection voltage, and on condition that the number of bitlines exceeds a configured value, program memory cells on at least one dummy word line adjacent to the fabrication joint with a particular threshold voltage.