NEUARTIGE STRUKTUR FÜR METALL-GATE-ELEKTRODE UND HERSTELLUNGSVERFAHREN

Eine Halbleitervorrichtung umfasst eine Kanalkomponente eines Transistors und eine über der Kanalkomponente angeordnete Gate-Komponente. Die Gate-Komponente umfasst: eine dielektrische Schicht, eine erste Austrittsarbeitsmetallschicht, die über der dielektrischen Schicht angeordnet ist, eine Füllmetallschicht, die über der ersten Austrittsarbeitsmetallschicht angeordnet ist, und eine zweite Austrittsarbeitsmetallschicht, die über der Füllmetallschicht angeordnet ist. A semiconductor device includes a channel component of a transistor and a gate component disposed over the channel component. The gate component includes: a dielectric layer, a first work function metal layer disposed over the dielectric layer, a fill-metal layer disposed over the first work function metal layer, and a second work function metal layer disposed over the fill-metal layer.