VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES HALBLEITERBAUELEMENTS UNTER VERWENDUNG VERSCHIEDENER VERBINDUNGSVERFAHREN FÜR DEN HALBLEITERDIE UND DEN CLIP

Halbleiterbauelement (10), das einen Träger (11), einen ersten externen Kontakt (12) und einen zweiten externen Kontakt (13), einen Halbleiterdie (14) mit einer ersten Hauptfläche und einer zweiten Hauptfläche gegenüber der ersten Hauptfläche, ein erstes Kontaktpad (14.1), das auf der ersten Hauptfläche angeordnet ist, ein zweites Kontaktpad (14.2), das auf der zweiten Hauptfläche angeordnet ist, und ein drittes Kontaktpad (14) umfasst, das auf der zweiten Hauptfläche angeordnet ist, wobei der Halbleiterdie (14) einen vertikalen Transistor umfasst und mit seiner ersten Hauptfläche auf dem Träger (11) angeordnet ist, ein Clip (15), der das zweite Kontaktpad (14.2) mit dem zweiten externen Kontakt (13) verbindet, und einen ersten Bonddraht (16), der mit dem ersten externen Kontakt (12) verbunden ist, wobei der erste Bonddraht (16) zwischen das dritte Kontaktpad (14.3) und den ersten externen Kontakt (12) geschaltet ist, und wobei der erste Bonddraht (16) zumindest teilweise unter der Klammer (15) angeordnet ist. A semiconductor device includes a carrier, a first external contact, a second external contact, and a semiconductor die. The semiconductor die has a first main face, a second main face opposite to the first main face, a first contact pad disposed on the first main face, a second contact pad disposed on the second main face, a third contact pad disposed on the second main face, and a vertical transistor. The semiconductor die is disposed with the first main face on the carrier. A clip connects the second contact pad to the second external contact. A first bond wire is connected between the third contact pad and the first external contact. The first bond wire is disposed at least partially under the clip.