PASSIVIERUNGSSTRUKTUR ENTHALTENDE HALBLEITERVORRICHTUNG UND HERSTELLUNGSVERFAHREN

Eine Ausführungsform einer Halbleitervorrichtung (100) weist einen Halbleiterkörper (102) auf, der eine erste Hauptoberfläche (104) umfasst. Der Halbleiterkörper (102) enthält eine aktive Vorrichtungszone (106) und eine Randabschlusszone (108), die die aktive Vorrichtungszone (106) zumindest teilweise umgibt. Die Halbleitervorrichtung (100) umfasst ferner eine Kontaktelektrode (110) auf der ersten Hauptoberfläche (104). Die Kontaktelektrode (110) ist mit der aktiven Vorrichtungszone (106) elektrisch verbunden. Die Halbleitervorrichtung (100) enthält ferner eine Passivierungsstruktur (112) auf der Randabschlusszone (108). Die Passivierungsstruktur (112) erstreckt sich lateral in die aktive Vorrichtungszone (106). Die Halbleitervorrichtung (100) enthält ferner eine Kapselungsstruktur (116) auf der Passivierungsstruktur (112). Die Kapselungsstruktur (116) bedeckt einen ersten Rand (118) der Passivierungsstruktur (112) über der Kontaktelektrode (110). An embodiment of a semiconductor device includes a semiconductor body having a first main surface. The semiconductor body includes an active device area and an edge termination area at least partly surrounding the active device area. The semiconductor device further includes a contact electrode on the first main surface and electrically connected to the active device area. The semiconductor device further includes a passivation structure on the edge termination area and laterally extending into the active device area. The semiconductor device further includes an encapsulation structure on the passivation structure and covering a first edge of the passivation structure above the contact electrode.