HERSTELLUNGSVERFAHREN EINES HALBLEITERDIES

Herstellungsverfahren eines Halbleiterdies, umfassend: das Vorbereiten eines Wafers (1000), der eine Halbleiterdie-Region (100, 200), eine Ritzlinie (110) und eine Dichtringregion (120, 130) aufweist;das Bilden eines ersten isolierenden Zwischenschichtfilms (20) auf einem Substrat (10);das Bilden einer Metallverdrahtung (30) in dem ersten isolierenden Zwischenschichtfilm (20);das Bilden eines zweiten isolierenden Zwischenschichtfilms (40) auf dem ersten isolierenden Zwischenschichtfilm (20);das Bilden von Metallpads (50, 60, 80) auf dem zweiten isolierenden Zwischenschichtfilm (40);das Bilden einer Passivierungsschicht (90) auf dem zweiten isolierenden Zwischenschichtfilm (40) und auf den Metallpads (50, 60, 80);Strukturieren der Passivierungsschicht (90) durch das Entfernen eines Abschnitts der Passivierungsschicht (90) zwischen der Ritzlinie (110) und der Halbleiterdie-Region (100, 200) zum Offenlegen des zweiten isolierenden Zwischenschichtfilms (40) und durch das Entfernen eines Abschnitts der Passivierungsschicht (90) in der Halbleiterdie-Region (100, 200) zum Offenlegen der Metallpads (50, 80) der Halbleiterdie-Region (100, 200);das Ätzen eines Abschnitts (41, 42) des zweiten isolierenden Zwischenschichtfilms (40) in einer Region zwischen der Ritzlinie (110) und der Dichtringregion (120, 130);das Bilden eines Bumps (210, 220) direkt auf den Metallpads (50, 80);das Entfernen des ersten isolierenden Zwischenschichtfilms (20) und des zweiten isolierenden Zwischenschichtfilms (40) in der Ritzlinie (110) durch einen Laserkerbprozess; unddas Dicen des Wafers in einen ersten Halbleiterdie (100) und einen zweiten Halbleiterdie (200). A manufacturing and packaging method for a semiconductor die is provided. The method prepares a wafer which has a seal-ring region, forms a first interlayer insulating film on the wafer, forms a metal wiring in the first interlayer insulating film, forms a second interlayer insulating film on the first interlayer insulating film, forms metal pads on the second interlayer insulating film, forms a passivation layer on the metal pads, removes a portion of the passivation layer in a region adjacent to the seal-ring region to expose the second interlayer insulating film, etches a portion of the second interlayer insulating film, forms a bump on the metal pads, removes the first interlayer insulating film and the second interlayer insulating film in the region adjacent to the seal-ring region by a laser grooving process, and dices the