ANZEIGEVORRICHTUNG

Eine Anzeigevorrichtung (100) weist ein Substrat (110), das ein erstes Substrat, ein zweites Substrat und eine anorganische isolierende Schicht zwischen dem ersten Substrat und dem zweiten Substrat aufweist, auf. Eine erste Pufferschicht (111) ist auf dem Substrat (110) angeordnet, wobei die erste Pufferschicht (111) n+1 Schichten aufweist und ,,n" gleich 0 oder eine gerade Zahl ist. Ein erster Dünnschichttransistor (120), ein zweiter Dünnschichttransistor (130) und ein Speicherkondensator (140) sind jeweils auf der ersten Pufferschicht (111) angeordnet. Der erste Dünnschichttransistor (120) weist eine erste aktive Schicht (121), die aus einem Niedertemperatur-Polysiliziummaterial gebildet ist, auf. Der zweite Dünnschichttransistor (130) weist eine zweite aktive Schicht (131), die aus einem Oxid-Halbleitermaterial gebildet ist, auf. Der Speicherkondensator (140) weist eine erste Kondensatorelektrode (141) und eine zweite Kondensatorelektrode (142) auf. A display apparatus includes a substrate having a first substrate, a second substrate, and an inorganic insulating layer between the first substrate and the second substrate. A first buffer layer is on the substrate, wherein the first buffer layer includes n+1 layers, and 'n' is 0 or an even number. A first thin film transistor, a second thin film transistor, and a storage capacitor are each on the first buffer layer. The first thin film transistor includes a first active layer formed of a low temperature poly silicon material. The second thin film transistor includes a second active layer formed of an oxide semiconductor material. The storage capacitor includes a first capacitor electrode and a second capacitor electrode.