Verfahren zum Ausbilden von Halbleitervorrichtungen mit in Schnittfugengebieten zur Die-Vereinzelung ausgebildeten vorbereitenden Gräben

Verfahren zum Ausbilden einer Halbleitervorrichtung, wobei das Verfahren aufweist:ein Vorsehen eines Halbleiter-Wafers (100), der eine Hauptoberfläche (102) und eine der Hauptoberfläche (102) entgegengesetzte rückwärtige Oberfläche (104) aufweist;ein Durchführen eines Schritts zur Vorbereitung einer Die-Vereinzelung in Schnittfugengebieten (108) des Halbleiter-Wafers (100), wobei die Schnittfugengebiete (108) eine Vielzahl der Die-Stellen (106) umschließen, wobei der Schritt zur Vorbereitung einer Die-Vereinzelung ein Ausbilden eines oder mehrerer vorbereitender Schnittfugengräben (112) zwischen zumindest zwei unmittelbar benachbarten Die-Stellen (106) in der Vielzahl aufweist;ein Ausbilden aktiver Halbleitervorrichtungen in den Die-Stellen (106); undein Vereinzeln des Halbleiter-Wafers (100) in den Schnittfugengebieten (108), wodurch aus den Die-Stellen (106) eine Vielzahl separater Halbleiter-Dies (110) gebildet wird,wobei der eine oder die mehreren Schnittfugengräben (112) während des Vereinzelns nicht gefüllt sind, undwobei das Vereinzeln ein Entfernen von Halbleitermaterial von einer Oberfläche des Halbleiter-Wafers (100) aufweist, die zwischen gegenüberliegenden Seitenwänden des einen oder der mehreren vorbereitenden Schnittfugengräben (112) liegt, undwobei ein Ausbilden der aktiven Halbleitervorrichtungen ein Ausbilden einer in Gräben ausgebildeten Elektrodenstruktur (118) in Zellenfeld-Gräben (122) in den Die-Stellen (106) aufweist und wobei die Zellenfeld-Gräben (122) und der eine oder die mehreren vorbereitenden Schnittfugengräben (112) mittels eines gemeinsamen Ätzschritts gleichzeitig gebildet werden. A semiconductor wafer having a main surface and a rear surface opposite from the main surface is provided. A die singulation preparation step is performed in kerf regions of the semiconductor wafer. The kerf regions enclose a plurality of die sites. The die singulation preparation step includes forming one or more preliminary kerf trenches between at least two immediately adjacent die sites. The method further includes forming active semiconductor devices in the die sites, and singulating the semiconductor wafer in the kerf regions thereby providing a plurality of discrete semiconductor dies from the die sites. The one or more preliminary kerf trenches are unfilled during the singulating, and the singulating includes removing semiconductor material from a surface of the semiconductor wafer that is between opposite facing sidewalls of the one or mo