Optoelektronisches Halbleiterbauelement und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterbauelements

Es wird ein optoelektronisches Halbleiterbauelement (20) angegeben mit mindestens einem Halbleiterchip (21) zur Erzeugung von elektromagnetischer Strahlung, und einem Träger (22) mit einer Haupterstreckungsebene, wobei der mindestens eine Halbleiterchip (21) auf dem Träger (22) angeordnet ist, ein strahlungsdurchlässiger Verguss (23) den mindestens einen Halbleiterchip (21) zumindest stellenweise bedeckt, in den Verguss (23) erste Partikel (24) und zweite Partikel (25) eingebracht sind, die ersten Partikel (24) eine Reflektivität von mindestens 0,7 aufweisen oder die ersten Partikel (24) Leuchtstoffe sind, in einem ersten Bereich (26) des Verguss (23) die Konzentration der ersten Partikel (24) größer als die Konzentration der zweiten Partikel (25) ist, in einem zweiten Bereich (27) des Verguss (23) die Konzentration der zweiten Partikel (25) größer als die Konzentration der ersten Partikel (24) ist, und der zweite Bereich (27) in einer vertikalen Richtung (z), welche senkrecht zur Haupterstreckungsebene des Trägers (22) verläuft, über dem ersten Bereich (26) angeordnet ist. Außerdem wird ein Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterbauelements (20) angegeben. The invention relates to an optoelectronic semiconductor component (20) having at least one semiconductor chip (21) for generating electromagnetic radiation, and a carrier (22) having a main plane of extension, wherein the at least one semiconductor ship (21) is arranged on the carrier (22); a radiation-permeable potting compound (23) covers the at least one semiconductor chip (21) at least in places; first particles (24) and second particles (25) are introduced into the radiation-permeable potting compound (23); the first particles (24) have a reflectivity of at least 0.7 or the first particles (24) are luminescent materials; in a first region (26) of the radiation-permeable potting compound (23), the concentration of the first particles (24) is greater than the concentration of the second particles (25); in a second region (27) of the radiation-permeable potting compound (23), the concentration of the second particles (25) is greater than the concentration of the first particles (24); and the second region (27) is arranged in a vertical direction, which extends perpendicular to the main plane of extension of the carrier (22), over the first region (26). The invention also relates to a method for producing an optoelectronic semiconductor component (20).