OPTOELEKTRONISCHES BAUELEMENT
Es wird ein optoelektronisches Bauelement (1) angegeben, das zumindest einen Halbleiteremitter (10) umfasst, der einen zur Emission von elektromagnetischer Strahlung eines ersten Wellenlängenbereichs eingerichteten aktiven Bereich (100) aufweist. Ferner umfasst das optoelektronische Bauelement (1) z...
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Format: | Patent |
Sprache: | ger |
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Zusammenfassung: | Es wird ein optoelektronisches Bauelement (1) angegeben, das zumindest einen Halbleiteremitter (10) umfasst, der einen zur Emission von elektromagnetischer Strahlung eines ersten Wellenlängenbereichs eingerichteten aktiven Bereich (100) aufweist. Ferner umfasst das optoelektronische Bauelement (1) zumindest eine Wellenlängenkonversionsplatte (20), die eine Auskoppelfläche (20A) und eine seitlich zu dieser angeordnete quer zu dieser ausgerichtete Seitenfläche (20B) aufweist, und einen Träger (30), auf dem der Halbleiteremitter (10) und die Wellenlängenkonversionsplatte (20) angeordnet sind. Die Auskoppelfläche (20A) ist von dem Träger (30) abgewandt. Der Halbleiteremitter (10) ist dazu eingerichtet, die Wellenlängenkonversionsplatte (20) an der Seitenfläche (20B) mit elektromagnetischer Strahlung zu bestrahlen. Die Wellenlängenkonversionsplatte (20) ist dazu eingerichtet eine Mischstrahlung, umfassend zumindest einen Teil der Strahlung des ersten Wellenlängenbereichs und eine konvertierte Strahlung eines zweiten Wellenlängenbereichs, aus der Auskoppelfläche (20A) zu emittieren.
The invention relates to an optoelectronic component, comprising at least one semiconductor emitter having an active region designed for emitting electromagnetic radiation of a first wavelength range. The optoelectronic component also comprises at least one wavelength conversion plate, having a decoupling surface and a lateral surface arranged laterally to same and orientated transverse to same, as well as a substrate on which the semiconductor emitter and the wavelength conversion plate are arranged. The decoupling surface is facing away from the substrate. The semiconductor emitter is designed to irradiate the wavelength conversion plate with electromagnetic radiation on the lateral surface. The wavelength conversion plate is designed to emit a mixed radiation out of the decoupling surface, said mixed radiation comprising at least one portion of the radiation of the first wavelength range and a converted radiation of a second wavelength range. |
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