Halbleitervorrichtung und Hochspannungsvorrichtung mit einer zwischen zwei HEMT-Vorrichtungen als Diode geschalteten Transistorvorrichtung und Verfahren zum Ausbilden derselben

Halbleitervorrichtung mit:einer ersten HEMT-Vorrichtung (104, 302), die innerhalb einer Halbleiterstruktur (212) angeordnet ist und eine erste Source (S1), einen ersten Drain (D1) und ein erstes Gate (G1) aufweist;einer zweiten HEMT-Vorrichtung (108, 304, 502), die innerhalb der Halbleiterstruktur (212) in Reihe mit der ersten HEMT-Vorrichtung (104, 302) angeordnet ist und eine zweite Source (S2), die mit dem ersten Drain (D1) verbunden ist, einen zweiten Drain (D2) und ein zweites Gate (G2) aufweist; undeiner als Diode geschalteten Transistorvorrichtung (110, 306), die innerhalb der Halbleiterstruktur (212) angeordnet und zwischen die erste HEMT-Vorrichtung (104, 302) und die zweite HEMT-Vorrichtung (108, 304, 502) geschaltet ist und eine dritte Source (S3), ein drittes Gate (G3) und einen dritten Drain (D3) aufweist, der mit dem zweiten Gate (G2) verbunden ist. In some embodiments, the present disclosure relates to a semiconductor device. The semiconductor device comprises a first high electron mobility transistor (HEMT) device disposed in a semiconductor structure and comprising a first source, a first drain, and a first gate. A second HEMT device is disposed in the semiconductor structure, and comprises a second source coupled to the first drain, a second drain, and a second gate. A diode-connected transistor device is disposed in the semiconductor structure, and comprises a third source, a third gate, and a third drain coupled to the second gate.