Halbleitervorrichtung und Verfahren

Ein Verfahren enthält: Bilden einer ersten Finne, die sich von einem Substrat erstreckt, Bilden eines ersten Gate-Stapels über und entlang den Seitenwänden der ersten Finne, Bilden eines ersten Abstandshalters entlang einer Seitenwand des ersten Gate-Stapels, wobei der erste Abstandshalter eine erste Zusammensetzung aus Siliziumoxycarbid enthält, Bilden eines zweiten Abstandshalters entlang einer Seitenwand des ersten Abstandshalters, wobei der zweite Abstandshalter eine zweite Zusammensetzung aus Siliziumoxycarbid enthält, Bilden eines dritten Abstandshalters entlang einer Seitenwand des zweiten Abstandshalters, wobei der dritte Abstandshalter Siliziumnitrid enthält, und Bilden einer ersten epitaxialen Source/Drain-Region in der ersten Finne und neben dem dritten Abstandshalter. A method includes forming a first fin extending from a substrate, forming a first gate stack over and along sidewalls of the first fin, forming a first spacer along a sidewall of the first gate stack, the first spacer including a first composition of silicon oxycarbide, forming a second spacer along a sidewall of the first spacer, the second spacer including a second composition of silicon oxycarbide, forming a third spacer along a sidewall of the second spacer, the third spacer including silicon nitride, and forming a first epitaxial source/drain region in the first fin and adjacent the third spacer.