Mikroelektromechanische Struktur enthaltendes Halbleiterbauelement; MEMS-Sensor und Verfahren

Ein Halbleiterbauelement kann eine Spannungsentkopplungsstruktur zum zumindest teilweisen Entkoppeln eines ersten Gebiets des Halbleiterbauelements und eines zweiten Gebiets des Halbleiterbauelements enthalten. Die Spannungsentkopplungsstruktur kann eine Gruppe von Gräben enthalten, die im Wesentlic...

Ausführliche Beschreibung

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Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser:	Knott, Bernhard, Stegemann, Maik, Kautzsch, Thoralf, Theuss, Horst, Froehlich, Heiko, Langheinrich, Wolfram, Vogt, Mirko, Bieselt, Steffen, Haubold, Marco, Roeth, Andre
Format:	Patent
Sprache:	ger
Schlagworte:	MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICALDEVICES MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY PERFORMING OPERATIONS TRANSPORTING
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Beschreibung
Zusammenfassung:	Ein Halbleiterbauelement kann eine Spannungsentkopplungsstruktur zum zumindest teilweisen Entkoppeln eines ersten Gebiets des Halbleiterbauelements und eines zweiten Gebiets des Halbleiterbauelements enthalten. Die Spannungsentkopplungsstruktur kann eine Gruppe von Gräben enthalten, die im Wesentlichen senkrecht zu einer Hauptfläche des Halbleiterbauelements verlaufen. Das erste Gebiet kann eine MEMS-Struktur (MEMS, mikroelektromechanisches System) enthalten. Das Halbleiterbauelement kann ein Dichtungselement zum zumindest teilweisen Abdichten von Öffnungen der Spannungsentkopplungsstruktur enthalten. A semiconductor device may include a stress decoupling structure to at least partially decouple a first region of the semiconductor device and a second region of the semiconductor device. The stress decoupling structure may include a set of trenches that are substantially perpendicular to a main surface of the semiconductor device. The first region may include a micro-electro-mechanical (MEMS) structure. The semiconductor device may include a sealing element to at least partially seal openings of the stress decoupling structure.