Speicherbaustein, insbesondere SRAM Makro

Speicherbaustein, insbesondere SRAM Makro

Die Erfindung betrifft ein Speicherbaustein (100), insbesondere SRAM Makro, umfassend:wenigstens ein Bit-Zell Array (101),wenigstens ein Reihen-Decoder und Treiber Modul (105),wenigstens ein Kontrollmodul (103), undwenigstens ein Datenpfadmodul (106, 107), wobei das wenigstens eine Bit-Zell Array (1...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser: Schraut, Florian, Höppner, Sebastian, Niebsch, Robert, Oefelein, Alexander
Format: Patent
Sprache:ger
Schlagworte:
ELECTRICITY
INFORMATION STORAGE
PHYSICS
STATIC STORES
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Beschreibung
Zusammenfassung:Die Erfindung betrifft ein Speicherbaustein (100), insbesondere SRAM Makro, umfassend:wenigstens ein Bit-Zell Array (101),wenigstens ein Reihen-Decoder und Treiber Modul (105),wenigstens ein Kontrollmodul (103), undwenigstens ein Datenpfadmodul (106, 107), wobei das wenigstens eine Bit-Zell Array (101) und alle damit verbundenen Module mit einer Array-Spannung verbunden sind und alle Außenschnittstellen aufweisenden Module mit einer Kernspannung verbunden sind, welches sich dadurch auszeichnet, dass der Speicherbaustein (100) eine Array Body-Bias Domäne (110), eine periphere Body-Bias Domäne (111) und eine Kern Body-Bias Domäne (112) aufweist, wobei der Array Body-Bias Domäne (110) wenigstens das Bit-Zell Array (101) zugeordnet ist, der peripheren Body-Bias Domäne (11) wenigstens das Reihen-Decoder und Treiber Modul (105) zugeordnet ist und der Kern Body-Bias Domäne (112) wenigstens das Kontrollmodul (103) und wenigstens teilweise das Datenpfadmodul (106, 107) zugeordnet sind.