HALBLEITERVORRICHTUNGEN MIT NICHT-GALVANISCHER VERBINDUNG

Eine Halbleitervorrichtung umfasst einen Halbleiterchip mit einer Hochfrequenzschaltung und einem Hochfrequenzanschluss, einen externen Hochfrequenzanschluss, und eine zwischen dem Hochfrequenzanschluss des Halbleiterchips und dem externen Hochfrequenzanschluss angeordnete nicht-galvanische Verbindu...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser: Hebler, Birgit, Hartner, Walter, Arcioni, Francesca, Wächter, Claus von, Wojnowski, Maciej, Niessner, Martin Richard
Format: Patent
Sprache:ger
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Beschreibung
Zusammenfassung:Eine Halbleitervorrichtung umfasst einen Halbleiterchip mit einer Hochfrequenzschaltung und einem Hochfrequenzanschluss, einen externen Hochfrequenzanschluss, und eine zwischen dem Hochfrequenzanschluss des Halbleiterchips und dem externen Hochfrequenzanschluss angeordnete nicht-galvanische Verbindung, wobei die nicht-galvanische Verbindung dazu ausgelegt ist, ein Hochfrequenzsignal zu übertragen. A semiconductor device comprises a semiconductor chip having a radio-frequency circuit and a radio-frequency terminal, an external radio-frequency terminal, and a non-galvanic connection arranged between the radio-frequency terminal of the semiconductor chip and the external radio-frequency terminal, wherein the non-galvanic connection is designed to transmit a radio-frequency signal.