Verfahren zum Herstellen einer kohäsiven Verbindung und Bondmaterialvorform dafür

Verfahren (100) zum Herstellen einer kohäsiven Verbindung einer ersten Komponente (1) eines Leistungshalbleitermoduls mit einer zweiten Komponente (2) eines Leistungshalbleitermoduls, wobei das Verfahren die folgenden Schritte umfasst:- Aufbringen (101) einer Bondmaterialvorform (14) auf eine Bondoberfläche (3) der ersten Komponente (1), wobei die Vorform eine auf der Bondoberfläche (3) der ersten Komponente (1) zu platzierende erste Oberfläche (7) und eine zweite Oberfläche (6) gegenüber der ersten Oberfläche (7), die eine oder mehrere Lokalisierungsstrukturen (13) umfasst, die sich für das Lokalisieren der zweiten Komponente (2) eignen, umfasst, wobei die Lokalisierungsstrukturen (13) eine erhöhte Wand (15) oder erhöhte Indizes (16) umfassen, die von der anderweitig im Wesentlichen flachen zweiten Oberfläche (6) vorstehen,- Anordnen (103) der zweiten Komponente (2) auf der Oberfläche (6) der Vorform gegenüber der Oberfläche, die der ersten Komponente (1) zugewandt ist, wobei die zweite Komponente (2) unter Verwendung der Lokalisierungsstrukturen (13) lokalisiert ist, und- Verarbeiten (104) des ganzen Bereichs des Bondmaterials. A method (100) for making a cohesive connection of a first component (1) (e.g., a DCB (Direct Copper Bonding) substrate) of a power semiconductor module to a second component (2) (e.g., an electronic component, in particular a semiconductor) of the power semiconductor module comprises the steps of: applying (101) a bonding material preform (14) to a bonding surface (3) of the first component (1), the bonding material preform (14) comprising a first surface (7) to be placed on the bonding surface (3) of the first component (1) and a second surface (6), opposite the first surface (7), which comprises one or more locating structures (13, 15, 16) suitable for locating the second component (2); arranging (103) the second component (2) on the surface (6) of the bonding material preform (14) opposite to the surface facing the first component (1) and located using the locating structures (13, 15, 16); and processing (104) (e.g., by heating and/or applying pressure) the complete area of the bonding material (9). The locating structures (13, 15, 16) ensure that the second component (2) is accurately and firmly retained in position in relation to the bonding material preform (14). The locating structures (13, 15, 16) may comprise a raised wall (15) or raised indexes (16) protruding from the otherwise substantially flat second surface of the