Verschleissschutzschicht und Verfahren zu ihrer Herstellung
Verschleißschutzschicht, enthaltend mindestens ein SiO2-Netzwerk, welches in Form von mindestens zwei Domänen vorliegt und die Dimensionen der einzelnen Domänen die Nanoskaligkeit in alle Raumrichtungen übersteigen, und weiterhin enthaltend langkettige Polyorganosiloxane mit jeweils mehr als 50 Wied...
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Format: | Patent |
Sprache: | ger |
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Zusammenfassung: | Verschleißschutzschicht, enthaltend mindestens ein SiO2-Netzwerk, welches in Form von mindestens zwei Domänen vorliegt und die Dimensionen der einzelnen Domänen die Nanoskaligkeit in alle Raumrichtungen übersteigen, und weiterhin enthaltend langkettige Polyorganosiloxane mit jeweils mehr als 50 Wiederholungseinheiten im Si-O-Si-Grundgerüst des Polyorganosiloxans, die mindestens kammartig an der Si-O-Si-Hauptkette gebundene organische Seitenketten aufweisen, und wobei in den Domänen nur das SiO2-Netzwerk vorhanden ist und zwischen den Domänen mindestens teilweise die langkettigen Polyorganosiloxane angeordnet sind, und wobei mindestens teilweise die organischen Seitenketten der langkettigen Polyorganosiloxane chemisch kovalent mit dem SiO2-Netzwerk gekoppelt sind.
The invention concerns the field of materials engineering and relates to a wear-protection layer, such as that which can be used to improve the wear resistance of polymer films. The problem addressed by the present invention is that of specifying a wear-protection layer which has a high to very high wear resistance and a simple and inexpensive method for producing same. This problem is solved using a wear-protection layer containing at least one SiO2 network which is present in the form of at least two domains and the dimensions of the individual domains exceed the nanoscale in all spatial directions, and also containing long-chain polyorganosiloxanes, each having more than 50 repeat units in the Si-O-Si backbone of the polyorganosiloxane, the repeat units having organic side chains bonded, at least comb-like, to the Si-O-Si main chain, and wherein only the SiO2 network is present in the domains and the long-chain polyorganosiloxanes are at least partly arranged between the domains, and wherein the organic side chains are at least partly chemically covalently coupled to the SiO2 network. |
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