Verfahren zum Strukturieren von dielektrischen Schichten für eine Metallisierung und entsprechende Strukturen

Verfahren, umfassend:ein Bilden eines Strukturierungsstapels (120) über einer dielektrischen Schicht (110), wobei der Strukturierungsstapel (120) eine Blindleitung (125) umfasst;ein Bilden einer Maskenschicht (130) über dem Strukturierungsstapel (120) und einer Abstandshalterstrukturierungsschicht (135) über der Maskenschicht (130);ein Ätzen einer Öffnung in die Abstandshalterstrukturierungsschicht (135), um einen Abschnitt der Maskenschicht (130) freizulegen, die die Blindleitung (125) überlagert;ein Bilden eines ersten Abstandshalters (151) und eines zweiten Abstandshalters (152) auf dem freiliegenden Abschnitt der Maskenschicht (130) auf Seitenwänden der Öffnung, wobei der erste Abstandshalter (151) und der zweite Abstandshalter (152) entsprechende erste Abschnitte der Blindleitung (125) überlagern und dazu quer liegen;ein bezüglich dem Strukturierungsstapel (120) selektives Entfernen der Abstandhalterstrukturierungsschicht (135) und der Maskenschicht (130), wobei der erste Abstandhalter (151) und der zweite Abstandhalter (152) zweite Abschnitte der Blindleitung (125) freilegen;ein bezüglich dem ersten Abstandshalter (151) und dem zweiten Abstandshalter (152) selektives Entfernen der zweiten Abschnitte der Blindleitung (125), um ein Merkmal in dem Strukturierungsstapel (120) zu bilden, wobei der Strukturierungsstapel (120) eine Hartmaskenschicht (122) umfasst, die zwischen der Blindleitung (125) und der dielektrischen Schicht (110) angeordnet ist und das Merkmal ein Graben in der Hartmaskenschicht (122) ist, der sich zu der dielektrischen Schicht (110) erstreckt, wobei das Merkmal einen ersten Spalt unterhalb des ersten Abstandshalters (151) und einen zweiten Spalt unterhalb des zweiten Abstandshalters (152) definiert; undein Bilden einer ersten Metallleitung (160) in der dielektrischen Schicht (110) unter Verwendung des Merkmals in dem Strukturierungsstapel (120) umfassend ein Ätzen von Abschnitten der dielektrischen Schicht (110), die durch den Graben in der Hartmaskenschicht (122) freigelegt sind, um einen Graben in der dielektrischen Schicht (110) zu bilden, sowie ein Abscheiden eines Metalls in dem Graben in der dielektrischen Schicht (110), wobei in den Bereichen, in denen die zweiten Abschnitte der Blindleitung (125) entfernt wurden, Abschnitte einer darunter liegenden Hartmaskenschicht (122) freigelegt werden, um dann durch weiteres Ätzen der dielektrischen Schicht (110), die durch die geätzten Bereiche der Hartmaskenschicht (122) freigelegt wer