Lichtlaufzeitpixel und Lichtlaufzeitsensor mit entsprechenden Pixel

Lichtlaufzeitpixel, mit Modulationsgates (ModA, Mod0, ModB) und Integrationsknoten (Ga, Gb), die an einer Oberseite eines photoempfindlichen Halbleitergebiets (100) angeordnet sind, wobei das photoempfindliche Halbleitergebiet (100) als N-Epitaxie ausgebildet ist, und seitlich und/oder an seinen Ecken von p-dotierten vertikalen p-Strukturen (105) begrenzt ist, wobei an einer Unterseite des photoempfindlichen Halbleitergebiets (100) eine vergrabene Schicht (102) mit einer p-Dotierung anschließt, wobei die vertikalen p-Strukturen (105) im elektrischen Kontakt mit der vergrabenen Schicht (102) stehen. The disclosure relates to a light propagation time pixel, comprising modulation gates and integration nodes which are arranged on the upper face of a photosensitive semiconductor region. The photosensitive semiconductor region is designed as an N-epitaxy and is delimited laterally and/or at the corners by p-doped vertical p-structures. A buried layer with a p-doping adjoins the lower face of the photosensitive semiconductor region, and the vertical p-structures are in electric contact with the buried layer.