AKTIVMATRIXSUBSTRAT UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES AKTIVMATRIXSUBSTRATS

Ein Aktivmatrixsubstrat umfasst einen Dünnschichttransistor 10 mit einer Gate-Elektrode GE, einer Oxidhalbleiterschicht 7c, die auf der Gate-Elektrode mittels einer Gate-Dielektrikumschicht angeordnet ist, und einer Source-Elektrode SE und einer Drain-Elektrode DE, die auf der Oxidhalbleiterschicht angeordnet sind. Eine Mehrzahl von Gate-Busleitungen GL und die Gate-Elektrode GE sind aus einem ersten elektrisch leitenden Film ausgebildet. Mindestens ein Teil von jeder der Mehrzahl von Source-Busleitungen SL, der Source-Elektrode und der Drain-Elektrode weist eine Mehrschichtstruktur auf, die eine untere Schicht, die aus einem zweiten elektrisch leitenden Film hergestellt ist, und eine obere Schicht, die aus einem ersten transparenten elektrisch leitenden Film hergestellt ist, umfasst. Zwischen der Mehrzahl von Source-Busleitungen und der Gate-Dielektrikumschicht ist eine Mehrzahl von ersten Oxidstreifen 7a, die sich entlang einer ersten Richtung erstrecken, angeordnet, wobei die ersten Oxidstreifen 7a aus demselben Oxidhalbleiterfilm wie die Oxidhalbleiterschicht hergestellt sind. Jede der Mehrzahl von Source-Busleitungen befindet sich auf einer oberen Fläche des entsprechenden ersten Oxidstreifens und die Breite ws von jeder der Mehrzahl von Source-Busleitungen entlang einer zweiten Richtung ist kleiner als die Breite wo1 von einem entsprechenden ersten Oxidstreifen entlang der zweiten Richtung. An active matrix substrate includes a thin film transistor having a gate electrode, an oxide semiconductor layer disposed on the gate electrode via a gate insulating layer, and a source electrode and a drain electrode disposed on the oxide semiconductor layer. A plurality of gate bus lines and the gate electrode are made of a first electrically conductive film. At least part of each of the plurality of source bus lines, the source electrode, and the drain electrode have a multilayer structure including a lower layer that is made of a second electrically conductive film and an upper layer that is made of a first transparent electrically conductive film. Between the plurality of source bus lines and the gate insulating layer, a plurality of first oxide strips extending along the first direction are disposed, the first oxide strips being made of the same oxide semiconductor film as the oxide semiconductor layer. Each of the plurality of source bus lines is located on an upper face of the corresponding first oxide strip, and a width of each of the plurality of source