CUT-FIRST-VORGEHEN MIT SELBSTAUSRICHTUNG BEI LINIEN-STRUKTURIERUNG

Verfahren, umfassend:ein Abscheiden einer ersten Hartmaskenschicht (16) auf einer zweiten Hartmaskenschicht (14), wobei die zweite Hartmaskenschicht (14) auf einer dritten Hartmaskenschicht (12) angeordnet ist;ein Bilden eines Schnitts (20), der durch die erste Hartmaskenschicht (16) und die zweite Hartmaskenschicht (14) hindurchtritt;ein Bilden einer Blockmaske (22) in dem Schnitt;ein Strukturieren der ersten Hartmaskenschicht (16) zum Bilden einer Mehrzahl von ersten Linien (28), die durch die erste Hartmaskenschicht (16) zu der zweiten Hartmaskenschicht (14) hindurchtreten, wobei wenigstens eine der ersten Linien (28) auf der Blockmaske überlagert ist;ein Strukturieren der zweiten Hartmaskenschicht (14) zum Übertragen der ersten Linien (28) von der ersten Hartmaskenschicht (16) zu der zweiten Hartmaskenschicht (14), um eine Mehrzahl von zweiten Linien (30) zu bilden, die durch die zweite Hartmaskenschicht (14) hindurchtreten, nach dem Strukturieren der ersten Hartmaskenschicht (16); undein Ätzen der zweiten Hartmaskenschicht (14) mit einem isotropen Ätzprozess, der die zweite Hartmaskenschicht (14) bezüglich der ersten Hartmaskenschicht (16) selektiv entfernt, so dass die zweiten Linien (30) relativ zu den ersten Linien (28) aufgeweitet sind; undein Strukturieren der dritten Hartmaskenschicht (12) zum Übertragen der zweiten Linien (30) von der zweiten Hartmaskenschicht (14) zu der dritten Hartmaskenschicht (12) als eine Mehrzahl von dritten Linien (32) in der dritten Hartmaskenschicht (12) nach dem Ätzen der zweiten Hartmaskenschicht (14),wobei ein Abschnitt der dritten Hartmaskenschicht (12) durch die Blockmaske während des Strukturierens der dritten Hartmaskenschicht (12) maskiert wird und der Abschnitt der dritten Hartmaskenschicht (12) an wenigstens einer der dritten Linien (32) als ein Schnitt unterbrochen ist. Methods of patterning a structure. A first hardmask layer is deposited on a second hardmask layer. A cut is formed that penetrates through the first hardmask layer and the second hardmask layer. A block mask is formed in the cut. The first hardmask layer is patterned to form first lines penetrating through the first hardmask layer to the second hardmask layer with at least one of the first lines superimposed on the block mask. After patterning the first hardmask layer, the second hardmask layer is patterned to transfer the first lines from the first hardmask layer to the second hardmask layer to form second lines penetrating through the seco