Verfahren zur Herstellung eines Elektronikmoduls und Elektronikmodul

Bei dem Verfahren zur Herstellung eines Elektronikmoduls (10) mit einer Leiterplatte (100) und mit einem Halbleiterchip (20) mit einer Kavität (40) wird ein Halbleiterchip (20) mit einer Kavität (40) herangezogen, die Kavität (40) mit einem Deckel (50) geschlossen, der Halbleiterchip (20) mit dem De...

Ausführliche Beschreibung

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Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser:	Lambrecht, Franziska, Ghesquiere, Pol, Freudenberg, Oliver
Format:	Patent
Sprache:	ger
Schlagworte:	BASIC ELECTRIC ELEMENTS ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR ELECTRICITY SEMICONDUCTOR DEVICES
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Beschreibung
Zusammenfassung:	Bei dem Verfahren zur Herstellung eines Elektronikmoduls (10) mit einer Leiterplatte (100) und mit einem Halbleiterchip (20) mit einer Kavität (40) wird ein Halbleiterchip (20) mit einer Kavität (40) herangezogen, die Kavität (40) mit einem Deckel (50) geschlossen, der Halbleiterchip (20) mit dem Deckel (50) mit einem Mold-Wafer (70) vergossen, vorzugsweise in den Mold-Wafer (70) eingegossen, und der Mold-Wafer (70) an eine Leiterplatte (100) elektrisch angebunden.Das Elektronikmodul ist insbesondere mit einem solchen Verfahren hergestellt und umfasst einen Mold-Wafer (70) mit einem Halbleiterchip (20) mit einer Kavität (40) und eine Leiterplatte (100), wobei die Kavität (40) mit einem Deckel (50) verschlossen ist und mit dem Mold-Wafer (70) vergossen ist und wobei der Mold-Wafer (70), insbesondere mittels Wafer-Level-Balls und/oder mittels eines Wafer-Level-Ball-Grids, an die Leiterplatte (100) elektrisch angebunden ist.