Halbleitervorrichtung und Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung

Halbleitervorrichtung, umfassend:eine leitfähige Platte (3), die eine Vorderfläche und ein Halbleiterelement (1), das auf der Vorderfläche montiert ist, umfasst; undein Vergussharz (9), das darin mindestens die Vorderfläche der leitfähigen Platte (3) vergießt, wobeidas Vergussharz (9) von mindestens einem Einlass auf einer ersten Seite der leitfähigen Platte (3) eingespritzt wird,eine Struktur (10), die Blasen einfängt, auf der Vorderfläche der leitfähigen Platte (3) in einer Region, in der Flüsse des Vergussharzes (9) zusammenlaufen, bereitgestellt wird, wobei die Region in einer Ecke einer zweiten Seite angeordnet ist, die der ersten Seite, von der aus das Vergussharz (9) eingespritzt wird, gegenüberliegt, oder die Region in einer Mitte der zweiten Seite angeordnet ist, die der ersten Seite, von der aus das Vergussharz (9) eingespritzt wird, gegenüberliegt. A semiconductor device includes a conductive plate having a front surface on which a semiconductor element is mounted and a sealing resin sealing therein at least the front surface of the conductive plate. The conductive plate includes a structure that traps bubbles in a region where flows of the injected sealing resin merge. The conductive plate has a rectangular shape. The sealing resin is injected from a single inlet on a first longitudinal side of the conductive plate. The region where the flows of the sealing resin merge is a region of a corner of a second longitudinal side that across the semiconductor element, opposes the first longitudinal side from which the sealing resin is injected.