Leistungsfeldeffekttransistor

Es wird ein Leistungsfeldeffekttransistor (1) mit einer Drain-Elektrode (2) und einer Source-Elektrode (3), die auf einem Substrat (4) angeordnet sind, beschrieben, wobei der Leistungsfeldeffekttransistor (1) eine Vielzahl von Halbleiterschichten (5) und eine Vielzahl von niederohmigen Leiterschicht...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:

Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser:	Joos, Joachim, Von Emden, Walter
Format:	Patent
Sprache:	ger
Schlagworte:	BASIC ELECTRIC ELEMENTS ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR ELECTRICITY SEMICONDUCTOR DEVICES
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Beschreibung
Zusammenfassung:	Es wird ein Leistungsfeldeffekttransistor (1) mit einer Drain-Elektrode (2) und einer Source-Elektrode (3), die auf einem Substrat (4) angeordnet sind, beschrieben, wobei der Leistungsfeldeffekttransistor (1) eine Vielzahl von Halbleiterschichten (5) und eine Vielzahl von niederohmigen Leiterschichten (6) aufweist, die alternierend angeordnet und mit einer Vielzahl von Gate-Elementen (7) durchsetzt sind.