Verfahren zur Herstellung homoepitaktischer Diamantschichten

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung homoepitaktischer Diamantschichten (1), enthaltend die folgenden Schritte: Bereitstellen eines Substrates (10), welches Diamant enthält oder daraus besteht und mit einer ersten Seite (101) und einer gegenüberliegenden zweiten Seite (102), wobei zumindest die erste Seite (101) eine [100]-Orientierung aufweist; Erzeugen einer Mehrzahl hervorstehender Strukturen (2) auf der ersten Seite (101) durch Maskieren und nachfolgendes Ätzen des Substrates (10); Abscheiden von Diamant aus einer aktivierten Gasphase auf der ersten Seite (101) des Substrates (10), wobei Pyramiden (3) um die hervorstehenden Strukturen (2) erzeugt werden, deren Seitenflächen (35) zumindest teilweise [111]-orientiert sind. A method for producing homoepitaxial diamond layers is provided. A substrate comprising diamond and having a first side and an opposite second side is provided, at least the first side having a [100] orientation. Protruding structures are provided on the first side by masking and subsequently etching the substrate. Diamond is deposited from an activated process gas on the first side of the substrate, wherein pyramids are produced around the protruding structures, the side faces of which are at least partially [111]-oriented.