Schutzeinrichtung für elektrostatische Entladung

Die vorliegende Offenbarung betrifft Halbleiterstrukturen und betrifft insbesondere elektrostatische Entladungs-(ESD-) Schutzschaltungen und Verfahren zur Nutzung und zur Herstellung. Die Struktur umfasst: eine elektrostatische Entladungs-(ESD-) Klemmeinrichtung, die ein Eingangssignal aus einer Auslöseschaltung empfängt; und einen Spannungsknoten, der mit einem Rückseiten-Gate der ESD-Klemmeinrichtung verbunden ist, wobei der Spannungsknoten während eines elektrostatischen Entladungs-(ESD-) Ereignisses der ESD-Klemmeinrichtung eine Spannung zuführt. The present disclosure relates to semiconductor structures and, more particularly, to electrostatic discharge (ESD) protection circuits and methods of use and manufacture. The structure includes: an electrostatic discharge (ESD) clamp which receives an input signal from a trigger circuit; and a voltage node connecting to a back gate of the ESD clamp, the voltage node providing a voltage to the ESD clamp during an electrostatic discharge (ESD) event.