Leistungsbauteil und Verfahren zum Herstellen desselben

Die vorliegende Erfindung betrifft ein Leistungsbauteil (100) mit einer Trägerplatte (1) und wenigstens einem Halbleiterelement (2), wobei das wenigstens eine Halbleiterelement (2) auf der Trägerplatte (1) befestigt ist, und die Trägerplatte (1) mit dem darauf befestigten wenigstens einen Halbleiterelement (2) in eine Vergussmasse (3) eingefasst ist, wobei die Trägerplatte (1) und das darauf befestigte wenigstens eine Halbleiterelement (2) zumindest teilweise mit einer ersten Materialzusammensetzung (4) der Vergussmasse (3) bedeckt sind und ein nicht mit der ersten Materialzusammensetzung (4) bedeckter Teil der Trägerplatte (1) mit einer zweiten Materialzusammensetzung (6) der Vergussmasse (3) bedeckt ist, wobei sich die erste Materialzusammensetzung (4) von der zweiten Materialzusammensetzung (6) unterscheidet. Die Erfindung betrifft ferner ein Verfahren zum Herstellen eines erfindungsgemäßen Leistungsbauteils (100). The invention relates to a power component (100) which comprises a carrier plate (1) and at least one semiconductor element (2), wherein at least one semiconductor element (2) is fastened to the carrier plate (1), the carrier plate (1) and the at least one semiconductor element (2) fastened thereto are embedded in the potting material (3), the carrier plate (1) and the at least one semiconductor element (2) fastened thereto are at least partially covered by a first material component (4) of the potting material (3), the part of the carrier plate (1), which is not covered by the first materialcomponent (4), is covered by a second material component (6) of the potting material (3), the first material component (4) being different from the second material component (6). The invention furtherrelates to a method for producing a power component (100) according to the invention.