Eingebetteter Harmonische-Abschluss an einem Hochleistungs-HF-Transistor

Halbleiterbauelement, das folgende Merkmale aufweist:ein Halbleitersubstrat (102) mit einer ersten und einer zweiten voneinander weg zeigenden Oberfläche (104, 106);ein Verstärkerbauelement (108), das in dem Halbleitersubstrat (102) gebildet ist, wobei das Verstärkerbauelement (108) ausgebildet ist, um ein HF-Signal bei einer Grundfrequenz zu verstärken;eine erste dielektrische Schicht (138), die auf der ersten Oberfläche (104) des Halbleitersubstrats (102) gebildet ist;eine erste Metallisierungsschicht (130), die auf der ersten dielektrischen Schicht (138) gebildet ist, wobei die erste Metallisierungsschicht (130) durch die erste dielektrische Schicht (138) von dem Halbleitersubstrat (102) beabstandet ist,wobei die erste Metallisierungsschicht (130) einen ersten länglichen Finger (132) aufweist, der ineinandergreifend mit einer ersten Referenzpotenzialanschlussfläche (126) angeordnet ist, wobei der erste längliche Finger (132) physisch von der ersten Referenzpotenzialanschlussfläche (126) getrennt ist,wobei die erste Referenzpotenzialanschlussfläche (126) eine erste strukturierte Form (146) aufweist, die frei von Metallisierung ist, undwobei die erste strukturierte Form (146) eine Geometrie aufweist, die Harmonische-Komponenten der Grundfrequenz filtert. A semiconductor includes a semiconductor substrate having first and second opposite facing surfaces. An amplifier device is formed in the semiconductor substrate, the amplifier device is configured to amplify an RF signal at a fundamental frequency. A first dielectric layer is formed on the first surface of the substrate. A first metallization layer is formed on the first dielectric layer. The first metallization layer is spaced apart from the substrate by the first dielectric layer. The first metallization layer includes a first elongated finger interdigitated with a first reference potential pad. The first elongated finger is physically disconnected from the first reference potential pad. The first reference potential pad includes a first patterned shape that is devoid of metallization. The first patterned shape has a geometry that filters harmonic components of the fundamental frequency.